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            控制晶須的措施

            九方電子2017-12-6

            晶須(Whisker指從金屬外表生長出的細絲狀、針狀單晶體,能在固體物質的外表生長進去,易發生在SnZnCdAg等低熔點金屬表面,通常發生在0.5-50um厚度很薄的金屬堆積層表面。典型的晶須直徑為1-10um長度為1-500umSMT配件

            由于無鉛元件引腳表面的鍍層大多采用鍍錫工藝,因此,無鉛產品錫晶須生長的機會和造成危害的可能性遠遠高于有鉛產品。Sn晶須的生長速度與溫度和濕潤環境有關,Sn晶須的生長速度隨溫度的升高、濕度的增加而加快。

            抑制Sn晶須生長的措施:

            1鍍暗Sn保守鍍Sn工藝為了增加鍍層的光澤,一般都要添加一些增光劑(所謂的鍍亮Sn亮Sn容易生長Sn晶須,鍍Sn不加增光劑(鍍暗Sn對抑制Sn晶須生長有一定的效果。

            2熱處理:外表鍍層的熱處置有三種方法:退火(Anneal熔化(Fuse和回流(Reflow后兩者實際上是將鍍層熔化再凝固,最為常用的退火的方法。鍍Sn后放在烘箱中烘150℃/2h或170℃/1h就可以達到退火的作用;鍍Sn后回流一次,可以將鍍層熔化再凝固;不采用電鍍,采用熱浸(HotDip也是一種有效的抑制Sn晶須的方法。DEK配件

            3中間鍍層:中間鍍層是指在鍍Sn前先鍍一層其他金屬元素作為阻擋層,然后再鍍Sn常用的中間層材料為Ni和Cu其中Ni最為常用,Cu一般用于黃銅或鐵基板。

            4鍍層合金化:Sn中添加PbAgBiCuNiFeZn等金屬元素可以有效抑制Sn晶須生長。目前日本、韓國的無鉛元件焊端和引腳有采用Sn-Bi或Sn-Ni鍍層的

            5增加鍍Sn層厚度:增加鍍Sn層厚度可以起到抑制Sn晶須生長的作用。一般增加Sn層厚度8-10um

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